STMicroelectronics , MASTERGAN6TR 栅极驱动器 高电压, QFN, 2个驱动器, 35引脚 21V, 表面安装, 16 A输出

STMicroelectronics 高级电源系统封装,将两个增强模式 GaN 晶体管集成到由高电压、高频率门驱动的半桥配置中。集成功率 GaN 具有 140 mΩ 的典型 RDS(ON) 和 650 V 排放源阻塞电压。它在底部和上部驱动部分均具有线性调节器,可优化驱动效率。嵌入式门驱动器的高端可通过集成引导二极管提供。锁定功能可避免交叉导线条件。高级驱动器部分具有较小的传播延迟、极短的唤醒时间和短暂的最小接通时间,可实现高频切换操作。扩展的输入引脚系列以及远程信号引脚 (FLT) 可轻松与控制器、微控制器或 DSP 装置接口。待机引脚可在非活动期间减少设备的功耗。

电源系统封装,集成 650 V GaN 晶体管半桥,带高电压门驱动器