onsemi MOSFET驱动器, SOIC, 2个驱动器, 8针, 贴片安装, 18V电源, 1.5 A输出
- RS 库存编号:
- 122-0134
- 制造商零件编号:
- MC33151DR2G
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 122-0134
- 制造商零件编号:
- MC33151DR2G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 输出电流 | 1.5 A | |
| 电源电压 | 18V | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 输出数目 | 2 | |
| 驱动器类型 | MOSFET | |
| 拓扑 | 高侧和低侧 | |
| 高压侧和低压侧相关性 | 独立 | |
| 驱动器数目 | 2 | |
| 极性 | 反相 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
输出电流 1.5 A | ||
电源电压 18V | ||
引脚数目 8 | ||
封装类型 SOIC | ||
输出数目 2 | ||
驱动器类型 MOSFET | ||
拓扑 高侧和低侧 | ||
高压侧和低压侧相关性 独立 | ||
驱动器数目 2 | ||
极性 反相 | ||
安装类型 贴片 | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
MOSFET（金氧半场效晶体管）和IGBT（绝缘栅双极型晶体管）驱动器，ON Semiconductor（安森美半导体）
用于低侧、高侧和半桥电路中的MOSFET（金氧半场效晶体管）和IGBT（绝缘栅双极型晶体管）的功率驱动器。
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET（金氧半场效晶体管）和IGBT（绝缘栅双极型晶体管）驱动器，ON Semiconductor（安森美半导体）