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- RS 库存编号:
- 141-2043
- 制造商零件编号:
- NCP5106AMNTWG
- 制造商:
- 安森美
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | 安森美 | |
| 逻辑类型 | CMOS | |
| 输出电流 | 250 mA | |
| 电源电压 | 20V | |
| 引脚数目 | 10 | |
| 下降时间 | 75ns | |
| 封装类型 | DFN | |
| 输出数目 | 1 | |
| 上升时间 | 160ns | |
| 拓扑 | 高侧和低侧 | |
| 高压侧和低压侧相关性 | 独立 | |
| 驱动器数目 | 2 | |
| 延时 | 170ns | |
| 电桥类型 | 半桥 | |
| 极性 | 非反相 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 安森美 | ||
逻辑类型 CMOS | ||
输出电流 250 mA | ||
电源电压 20V | ||
引脚数目 10 | ||
下降时间 75ns | ||
封装类型 DFN | ||
输出数目 1 | ||
上升时间 160ns | ||
拓扑 高侧和低侧 | ||
高压侧和低压侧相关性 独立 | ||
驱动器数目 2 | ||
延时 170ns | ||
电桥类型 半桥 | ||
极性 非反相 | ||
安装类型 贴片 | ||
MOSFET（金氧半场效晶体管）和IGBT（绝缘栅双极型晶体管）驱动器，ON Semiconductor（安森美半导体）
用于低侧、高侧和半桥电路中的MOSFET（金氧半场效晶体管）和IGBT（绝缘栅双极型晶体管）的功率驱动器。
MOSFET（金氧半场效晶体管）和IGBT（绝缘栅双极型晶体管）驱动器，ON Semiconductor（安森美半导体）