Microchip MOSFET驱动器, CMOS，TTL逻辑, DIP, 1个驱动器, 8针, 通孔安装, 18V电源, 9 A输出
- RS 库存编号:
- 177-0412
- 制造商零件编号:
- MIC4422YN
- 制造商:
- Microchip
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | RMB17.705 | RMB885.25 |
| 100 - 450 | RMB17.174 | RMB858.70 |
| 500 + | RMB15.457 | RMB772.85 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 177-0412
- 制造商零件编号:
- MIC4422YN
- 制造商:
- Microchip
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Microchip | |
| 逻辑类型 | CMOS，TTL | |
| 输出电流 | 9 A | |
| 电源电压 | 18V | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 封装类型 | DIP | |
| 下降时间 | 120ns | |
| 驱动器类型 | MOSFET | |
| 输出数目 | 1 | |
| 上升时间 | 120ns | |
| 拓扑 | 低侧 | |
| 延时 | 80ns | |
| 驱动器数目 | 1 | |
| 极性 | 非反相 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Microchip | ||
逻辑类型 CMOS，TTL | ||
输出电流 9 A | ||
电源电压 18V | ||
引脚数目 8 | ||
封装类型 DIP | ||
下降时间 120ns | ||
驱动器类型 MOSFET | ||
输出数目 1 | ||
上升时间 120ns | ||
拓扑 低侧 | ||
延时 80ns | ||
驱动器数目 1 | ||
极性 非反相 | ||
安装类型 通孔 | ||
Microchip Technology MOSFET 驱动器
Microchip Technology MOSFET 驱动器坚固耐用、高效且易于使用。它是一个非反相驱动程序。MOSFET 能够输出 9A （ Peak ）电压，并能以更好的安全操作裕度驱动最大的 MOSFET 。 它接受从 2.4V 至 VS 的任何逻辑输入、无需外部加速电容器或电阻器网络。专有电路允许输入的负摆幅高达 5V 、而不会损坏部件。
特点和优势
•完全隔离的过程本身不会受到任何闩锁的影响
•高电容负载驱动为 47 、 000 pF
•高峰值输出电流为 9A 峰 Peak
•输入可承受负摆幅高达 5V
•无铅 (Pb)
•从 2.4V 至 VS 的任何电压的逻辑高输入
•低等效输入电容
•低输出阻抗
•低电源电流为 450μA Ω 、带逻辑 1 输入
•最小脉冲宽度为 50ns
•工作接点温度范围在 -40°C 至 150°C 之间
•电源电压范围在 4.5V 和 18V 之间
•高电容负载驱动为 47 、 000 pF
•高峰值输出电流为 9A 峰 Peak
•输入可承受负摆幅高达 5V
•无铅 (Pb)
•从 2.4V 至 VS 的任何电压的逻辑高输入
•低等效输入电容
•低输出阻抗
•低电源电流为 450μA Ω 、带逻辑 1 输入
•最小脉冲宽度为 50ns
•工作接点温度范围在 -40°C 至 150°C 之间
•电源电压范围在 4.5V 和 18V 之间
应用
• D 类开关放大器
•驱动 MOSFET 或 IGBT 并行芯片模块
•线路驱动器
•本地电源开关
•电机控制
•脉冲发生器
•脉冲变压器驱动器
•开关模式电源
•驱动 MOSFET 或 IGBT 并行芯片模块
•线路驱动器
•本地电源开关
•电机控制
•脉冲发生器
•脉冲变压器驱动器
•开关模式电源
认证
• ANSI/ESD S20.20 ： 2014
• BS EN 61340-5-1 ： 2007
• BS EN 61340-5-1 ： 2007