onsemi MOSFET驱动器, SOIC, 2个驱动器, 8针, 贴片安装, 20V电源, 500 mA输出
- RS 库存编号:
- 186-9805
- 制造商零件编号:
- NCP5106BDR2G
- 制造商:
- onsemi
可享批量折扣
小计（1 包，共 10 件）*
¥57.25
(不含税)
¥64.69
(含税)
最后的 RS 库存
- 最终 2,420 个，准备发货
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 620 | RMB5.725 | RMB57.25 |
| 630 - 1240 | RMB5.553 | RMB55.53 |
| 1250 + | RMB5.388 | RMB53.88 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 186-9805
- 制造商零件编号:
- NCP5106BDR2G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 输出电流 | 500 mA | |
| 电源电压 | 20V | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 下降时间 | 75ns | |
| 驱动器类型 | MOSFET | |
| 输出数目 | 2 | |
| 上升时间 | 160ns | |
| 高压侧和低压侧相关性 | 独立 | |
| 驱动器数目 | 2 | |
| 延时 | 170ns | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
输出电流 500 mA | ||
电源电压 20V | ||
引脚数目 8 | ||
封装类型 SOIC | ||
下降时间 75ns | ||
驱动器类型 MOSFET | ||
输出数目 2 | ||
上升时间 160ns | ||
高压侧和低压侧相关性 独立 | ||
驱动器数目 2 | ||
延时 170ns | ||
安装类型 贴片 | ||
MOSFET（金氧半场效晶体管）和IGBT（绝缘栅双极型晶体管）驱动器，ON Semiconductor（安森美半导体）
用于低侧、高侧和半桥电路中的MOSFET（金氧半场效晶体管）和IGBT（绝缘栅双极型晶体管）的功率驱动器。
高电压范围：高达 600V
Dv/dt 抗扰度 ± 50V/nsec
闸极驱动电源电压范围为 10V 至 20V
高和低驱动输出
输出源 / 接收器电流能力 250mA/500mA
兼容 3.3V 和 5V 输入逻辑
输入引脚上的 VCC 摆动
两个通道之间的匹配传播延迟
具有输入的相位输出
独立逻辑输入以适应所有拓扑（ A 版）
交叉传导保护，内部固定死机时间为 100ns （ B 版）
两个通道的 VCC 锁定 (UVLO) 下
引脚到引脚与行业标准兼容
应用
半桥电源转换器
任何辅助驱动转换器（非对称半桥，活动夹）（仅限版本）。
全桥转换器
Dv/dt 抗扰度 ± 50V/nsec
闸极驱动电源电压范围为 10V 至 20V
高和低驱动输出
输出源 / 接收器电流能力 250mA/500mA
兼容 3.3V 和 5V 输入逻辑
输入引脚上的 VCC 摆动
两个通道之间的匹配传播延迟
具有输入的相位输出
独立逻辑输入以适应所有拓扑（ A 版）
交叉传导保护，内部固定死机时间为 100ns （ B 版）
两个通道的 VCC 锁定 (UVLO) 下
引脚到引脚与行业标准兼容
应用
半桥电源转换器
任何辅助驱动转换器（非对称半桥，活动夹）（仅限版本）。
全桥转换器
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET（金氧半场效晶体管）和IGBT（绝缘栅双极型晶体管）驱动器，ON Semiconductor（安森美半导体）