Renesas Electronics MOSFET MOSFET, SOIC, 2个驱动器, 8引脚 14 V, 表面安装, 2 A输出
- RS 库存编号:
- 196-8876P
- 制造商零件编号:
- HIP2101IBZ
- 制造商:
- Renesas Electronics
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|---|---|
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* 参考价格
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- 196-8876P
- 制造商零件编号:
- HIP2101IBZ
- 制造商:
- Renesas Electronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Renesas Electronics | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 输出电流 | 2A | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 下降时间 | 500ns | |
| 包装类型 | SOIC | |
| 驱动器类型 | MOSFET | |
| 输出数目 | 2 | |
| 上升时间 | 500ns | |
| 最低电源电压 | 18V | |
| 驱动器数目 | 2 | |
| 最大电源电压 | 14V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 4 mm | |
| 长度 | 5mm | |
| 系列 | HIP2101 | |
| 高度 | 1.75mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Renesas Electronics | ||
产品类型 MOSFET | ||
输出电流 2A | ||
引脚数目 8 | ||
下降时间 500ns | ||
包装类型 SOIC | ||
驱动器类型 MOSFET | ||
输出数目 2 | ||
上升时间 500ns | ||
最低电源电压 18V | ||
驱动器数目 2 | ||
最大电源电压 14V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 4 mm | ||
长度 5mm | ||
系列 HIP2101 | ||
高度 1.75mm | ||
标准/认证 No | ||
安装类型 表面 | ||
汽车标准 否 | ||
Renesas Electronics 的 HIP2101 系列设备是高频率、 100V 半桥 n 沟道功率 mosfet 驱动器 ic 。它相当于
HIP2100 、具有完全兼容 ttl/cmos 的逻辑输入引脚的额外优势。两个上均具有欠电压保护
低侧和高侧电源强制输出为低电平。片上二极管消除了其他驱动器 ic 所需的分立二极管。
驱动 n 沟道 mosfet 半桥
适用于各种封装选项的封装尺寸：封装尺寸：封装尺寸
限幅电源最大电压为 114VDC