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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 620 | RMB17.174 | RMB85.87 |
| 625 - 1245 | RMB16.662 | RMB83.31 |
| 1250 + | RMB16.164 | RMB80.82 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 205-2421
- 制造商零件编号:
- NCV57200DR2G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 输出电流 | 1.9 A | |
| 电源电压 | 20V | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 封装类型 | SOIC-8 | |
| 驱动器类型 | 通用 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
输出电流 1.9 A | ||
电源电压 20V | ||
引脚数目 8 | ||
封装类型 SOIC-8 | ||
驱动器类型 通用 | ||
on ON Semiconductor 高电压栅极驱动器，带有一个非隔离低侧栅极驱动器和一个电化隔离高侧或低侧栅极驱动器。它可直接驱动两个采用半桥配置的搭建器。隔离式高侧驱动器可通过隔离电源或低侧电源的启动技术供电。此电化隔离适用于高侧栅极驱动器、可确保在高 dv/dt 下工作电压高达 800 v 的条件下、在高功率应用中可靠切换。
封装为 s整体 封装（无铅）
高峰 Peak 输出（ +1.9a/-2.3a ）
低输出电压降、用于增强型栅极导
安全输出低状态、无 vdd/vb
浮动通道、用于高达 800V 的引导操作
cmti 高达 50kV 2m/s
可靠的操作、 vs 负向摆动至 - 800V
vdd 和 vbs 电源范围高达 20V
高峰 Peak 输出（ +1.9a/-2.3a ）
低输出电压降、用于增强型栅极导
安全输出低状态、无 vdd/vb
浮动通道、用于高达 800V 的引导操作
cmti 高达 50kV 2m/s
可靠的操作、 vs 负向摆动至 - 800V
vdd 和 vbs 电源范围高达 20V