STMicroelectronics 栅极驱动模块, QFN, 3个驱动器, 24针, 贴片安装
- RS 库存编号:
- 210-8289
- 制造商零件编号:
- STDRIVE101
- 制造商:
- STMicroelectronics
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- STDRIVE101
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 引脚数目 | 24 | |
| 封装类型 | QFN | |
| 拓扑 | 半桥 | |
| 驱动器数目 | 3 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
引脚数目 24 | ||
封装类型 QFN | ||
拓扑 半桥 | ||
驱动器数目 3 | ||
安装类型 贴片 | ||
STDRIVE101 是低电压栅极驱动器,适用于驱动三相无刷电机。
它是一款单芯片,带有三个用于 N 沟道功率 MOSFET 的半桥栅极驱动器。每个驱动器的电流能力为 600 mA(灌电流/拉电流)。它集成了一个低压降线性稳压器,通过自举电路为低侧和高侧栅极驱动器生成电源电压。
该器件在低侧和高侧部分均提供欠压锁定 (UVLO),可防止电源开关在低效率或危险情况下运行。
它是一款单芯片,带有三个用于 N 沟道功率 MOSFET 的半桥栅极驱动器。每个驱动器的电流能力为 600 mA(灌电流/拉电流)。它集成了一个低压降线性稳压器,通过自举电路为低侧和高侧栅极驱动器生成电源电压。
该器件在低侧和高侧部分均提供欠压锁定 (UVLO),可防止电源开关在低效率或危险情况下运行。
集成到 STDRIVE101 中的控制逻辑允许两种输入策略(高侧和低侧或使能和 PWM 驱动信号)。驱动方式根据 DT/MODE 引脚选择。在这两种情况下,都可以通过互锁或内部产生的死区时间来确保防止交叉传导。
STDRIVE101 还具有针对每个外部 MOSFET 的 VDS 监控保护、热关断,并且可以置于待机模式以降低功耗。
该设备提供 VFQFPN 4x4 24 引脚封装选项。
STDRIVE101 还具有针对每个外部 MOSFET 的 VDS 监控保护、热关断,并且可以置于待机模式以降低功耗。
该设备提供 VFQFPN 4x4 24 引脚封装选项。
• 工作电压从 5.5 至 75 V
• 600 mA 灌电流/拉电流能力
• 3.3 V 和 5 V 控制逻辑
• 两种输入策略:
带可调死区时间生成的 ENx/INx
带互锁的 INHx/INLx
• 所有通道的匹配传播延迟
• 极短传播延迟:40 ns
• 集成自举二极管
• 12 V LDO 线性稳压器(最大 50 mA)
• 每个外部 MOSFET 的嵌入式 VDS 监视器
• 过流比较器
• UVLO 和热关断保护
• 低电流消耗运行的待机模式
• 600 mA 灌电流/拉电流能力
• 3.3 V 和 5 V 控制逻辑
• 两种输入策略:
带可调死区时间生成的 ENx/INx
带互锁的 INHx/INLx
• 所有通道的匹配传播延迟
• 极短传播延迟:40 ns
• 集成自举二极管
• 12 V LDO 线性稳压器(最大 50 mA)
• 每个外部 MOSFET 的嵌入式 VDS 监视器
• 过流比较器
• UVLO 和热关断保护
• 低电流消耗运行的待机模式
