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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 620 | RMB10.614 | RMB53.07 |
| 625 - 1245 | RMB10.296 | RMB51.48 |
| 1250 + | RMB9.986 | RMB49.93 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 217-7195
- 制造商零件编号:
- IRS21864STRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 拓扑 | 半桥 | |
| 驱动器数目 | 1 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
引脚数目 8 | ||
封装类型 SOIC | ||
拓扑 半桥 | ||
驱动器数目 1 | ||
安装类型 贴片 | ||
Infineon 600 v 高侧和低侧驱动器 ic 具有典型的 4 a 源电流和 4 a 阱电流、采用 14 引线的适用于沟器和功率为的封装。还提供 14 引线的 ptip 、 8 引线的封装和 8 引线的 ptip 。
浮动通道设计用于引导程序操作
+600 V 下完全可操作
可耐受负瞬态电压、 dv/dt 抗
栅极驱动电源范围从 10 V 到 20 V
用于两个通道的欠电压锁定
兼容 3.3 V 和 5 V 输入逻辑
匹配的传播延迟，用于两个通道
逻辑和电源接地 +/- 5 V 偏置
更低的 di/dt 栅极驱动器，可实现更好的抗噪性
输出源 / 汇电流容量 4 a/4 a
+600 V 下完全可操作
可耐受负瞬态电压、 dv/dt 抗
栅极驱动电源范围从 10 V 到 20 V
用于两个通道的欠电压锁定
兼容 3.3 V 和 5 V 输入逻辑
匹配的传播延迟，用于两个通道
逻辑和电源接地 +/- 5 V 偏置
更低的 di/dt 栅极驱动器，可实现更好的抗噪性
输出源 / 汇电流容量 4 a/4 a