Infineon 栅极驱动器 MOSFET, SOIC, 8引脚 600V, 表面安装, 290 mA输出

RS 库存编号:: 226-6178
制造商零件编号:: IRS2101STRPBF
制造商:: Infineon

Infineon 栅极驱动器 MOSFET, SOIC, 8引脚 600V, 表面安装, 290 mA输出

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RS 库存编号:: 226-6178
制造商零件编号:: IRS2101STRPBF
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	栅极驱动器
	输出电流	290mA
	引脚数目	8
	包装类型	SOIC
	下降时间	90ns
	驱动器类型	MOSFET
	输出数目	2
	上升时间	170ns
	最低电源电压	10V
	最大电源电压	600V
	最低工作温度	-40°C
	最高工作温度	125°C
	长度	5mm
	高度	1.75mm
	标准/认证	RoHS Compliant
	宽度	4mm
	系列	IRS
	安装类型	表面
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型栅极驱动器
	输出电流 290mA
	引脚数目 8
	包装类型 SOIC
	下降时间 90ns
	驱动器类型 MOSFET
	输出数目 2
	上升时间 170ns
	最低电源电压 10V
	最大电源电压 600V
	最低工作温度 -40°C
	最高工作温度 125°C
	长度 5mm
	高度 1.75mm
	标准/认证 RoHS Compliant
	宽度 4mm
	系列 IRS
	安装类型表面
	汽车标准否

Datasheet - IRS2101STRPBF

Infineon IRS 系列栅极驱动器,最小电源电压 10V,最大电源电压 600V - IRS2101STRPBF

这款栅极驱动器为高电压应用中的 MOSFET 开关提供双通道控制,可接受低至 10 V 的电源,工作电压高达 600 V。它采用 8 针表面贴装 SOIC 封装,专为在宽温度范围内需要紧凑、高电压 MOSFET 驱动能力的用户而设计。

特性和优点：

• 290 mA 输出电流为中功率 MOSFET 提供足够的栅极驱动
• 170ns 上升时间,可实现相对较快的开启速度,实现高效切换
• 90ns 下降时间确保及时关闭以限制重叠损耗
• 额定工作电压为 600 V,支持高压拓扑结构
• 由 10V 电源供电,兼容常见控制导轨
• 符合 RoHS 标准,可减少组件中的有害物质问题

应用

• 适用于高压开关模式电源
• 与转换器中的半桥 MOSFET 布局配合使用
• 适用于工业电机驱动栅极控制
• 用于功率因数校正级栅极驱动
• 可用于隔离式栅极驱动实现

它采用哪种封装和安装方式？

它采用 8 针 SOIC 封装,专为表面贴装而设计。

它能承受的环境温度范围是多少?

该设备可在 -40°C 至 125°C 的极端工作温度范围内运行。

提供多少个独立输出?

提供两个输出,用于双 MOSFET 控制。