STMicroelectronics 栅极驱动模块, SO-16, 2个驱动器, 16针, 3.3 → 5V电源, 6 A输出
- RS 库存编号:
- 233-0478
- 制造商零件编号:
- STDRIVEG600TR
- 制造商:
- STMicroelectronics
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | RMB15.79 | RMB157.90 |
| 20 - 90 | RMB15.469 | RMB154.69 |
| 100 - 240 | RMB15.166 | RMB151.66 |
| 250 - 490 | RMB14.864 | RMB148.64 |
| 500 + | RMB14.567 | RMB145.67 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 233-0478
- 制造商零件编号:
- STDRIVEG600TR
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 输出电流 | 6 A | |
| 电源电压 | 3.3 → 5V | |
| 引脚数目 | 16 | |
| 下降时间 | 5ns | |
| 封装类型 | SO-16 | |
| 驱动器数目 | 2 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
输出电流 6 A | ||
电源电压 3.3 → 5V | ||
引脚数目 16 | ||
下降时间 5ns | ||
封装类型 SO-16 | ||
驱动器数目 2 | ||
STMicroelectronics STDRIVEG600 是单芯片半桥栅极驱动器，用于增强模式 GaN FET 或 N 通道功率 MOSFET。高侧部分设计用于耐压高达 600 V ，且适用于总线电压高达 500 V 的设计该设备设计用于驱动高速 GaN 和 Si FET ，这得益于高电流容量，短传播延迟和电源电压低至 5 V 的操作
联锁功能
低侧和高侧部分上的 UVLO
专用引脚，用于关闭功能
过热保护
低侧和高侧部分上的 UVLO
专用引脚，用于关闭功能
过热保护