Renesas Electronics , HIP2101IBZT MOSFET MOSFET, SOIC, 2个驱动器, 8引脚 14 V, 表面安装, 2 A输出
- RS 库存编号:
- 238-0034
- 制造商零件编号:
- HIP2101IBZT
- 制造商:
- Renesas Electronics
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- RS 库存编号:
- 238-0034
- 制造商零件编号:
- HIP2101IBZT
- 制造商:
- Renesas Electronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Renesas Electronics | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 输出电流 | 2A | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 包装类型 | SOIC | |
| 下降时间 | 10ns | |
| 驱动器类型 | MOSFET | |
| 输出数目 | 2 | |
| 上升时间 | 500ns | |
| 最低电源电压 | 9V | |
| 驱动器数目 | 2 | |
| 最大电源电压 | 14V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 1.75mm | |
| 长度 | 5mm | |
| 宽度 | 4 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 系列 | HIP2101 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Renesas Electronics | ||
产品类型 MOSFET | ||
输出电流 2A | ||
引脚数目 8 | ||
包装类型 SOIC | ||
下降时间 10ns | ||
驱动器类型 MOSFET | ||
输出数目 2 | ||
上升时间 500ns | ||
最低电源电压 9V | ||
驱动器数目 2 | ||
最大电源电压 14V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 1.75mm | ||
长度 5mm | ||
宽度 4 mm | ||
标准/认证 No | ||
系列 HIP2101 | ||
安装类型 表面 | ||
汽车标准 否 | ||
Renesas Electronics HIP2101 是一款高频率、100 V 半桥 N 沟道功率 MOSFET 驱动器芯片。与 HIP2100 相当，具备完全 TTL/CMOS 兼容逻辑输入引脚的额外优势。与某些竞品不同，高压侧电源瞬时欠压后，其输出会恢复到正确状态。
驱动 N 沟道 MOSFET 半桥
SOIC、EPSOIC、QFN 和 DFN 封装选项
自举电源最大电压直流 114 V