制造商编号

Renesas Electronics MOSFET MOSFET, SOIC, 2个驱动器, 8引脚 14V, 表面安装, 2 A输出

RS 库存编号:: 238-0035P
制造商零件编号:: HIP2101IBZT
制造商:: Renesas Electronics

Renesas Electronics MOSFET MOSFET, SOIC, 2个驱动器, 8引脚 14V, 表面安装, 2 A输出

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单位	每单位
50 - 98	RMB37.655
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250 - 998	RMB35.435
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RS 库存编号:: 238-0035P
制造商零件编号:: HIP2101IBZT
制造商:: Renesas Electronics

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Renesas Electronics
	产品类型	MOSFET
	输出电流	2A
	引脚数目	8
	包装类型	SOIC
	下降时间	10ns
	输出数目	2
	驱动器类型	MOSFET
	上升时间	500ns
	最低电源电压	9V
	驱动器数目	2
	最大电源电压	14V
	最低工作温度	-55°C
	最高工作温度	150°C
	长度	5mm
	高度	1.75mm
	宽度	4mm
	标准/认证	No
	系列	HIP2101
	安装类型	表面
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Renesas Electronics
	产品类型 MOSFET
	输出电流 2A
	引脚数目 8
	包装类型 SOIC
	下降时间 10ns
	输出数目 2
	驱动器类型 MOSFET
	上升时间 500ns
	最低电源电压 9V
	驱动器数目 2
	最大电源电压 14V
	最低工作温度 -55°C
	最高工作温度 150°C
	长度 5mm
	高度 1.75mm
	宽度 4mm
	标准/认证 No
	系列 HIP2101
	安装类型表面
	汽车标准否

Datasheet - HIP2101IBZT

Renesas Electronics HIP2101 是一款高频率、100 V 半桥 N 沟道功率 MOSFET 驱动器芯片。与 HIP2100 相当，具备完全 TTL/CMOS 兼容逻辑输入引脚的额外优势。与某些竞品不同，高压侧电源瞬时欠压后，其输出会恢复到正确状态。

驱动 N 沟道 MOSFET 半桥

SOIC、EPSOIC、QFN 和 DFN 封装选项

自举电源最大电压直流 114 V

Renesas Electronics MOSFET MOSFET, SOIC, 2个驱动器, 8引脚 14V, 表面安装, 2 A输出

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