STMicroelectronics MOSFET驱动器, CMOS,TTL逻辑, SO-36W, 36针, 3.1 V, 5.5 V电源, 4 A输出

可享批量折扣

小计(1 包,共 5 件)*

¥123.71

(不含税)

¥139.79

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
有库存
  • 185 件将从其他地点发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
单位
每单位
每包*
5 - 5RMB24.742RMB123.71
10 - 95RMB24.244RMB121.22
100 - 245RMB23.76RMB118.80
250 - 495RMB23.292RMB116.46
500 +RMB22.822RMB114.11

* 参考价格

包装方式:
RS 库存编号:
239-5534
制造商零件编号:
STGAP2SICDTR
制造商:
STMicroelectronics
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

STMicroelectronics

逻辑类型

CMOS,TTL

输出电流

4 A

电源电压

3.1 V, 5.5 V

引脚数目

36

下降时间

30ns

封装类型

SO-36W

驱动器类型

MOSFET

STMicroelectronics STGAP2SiCD 是用于 SiC MOSFET 的双栅极驱动器,可在每个栅极驱动通道和低电压控制和接口电路之间提供电化隔离。栅极驱动器具有 4 A 电流容量和轨对轨输出,使其适用于中和高功率应用,如功率转换和工业电动机驱动器变频器。分离输出引脚允许使用专用栅极电阻器独立优化开启和关闭,而 Miller 钳位功能可在半桥拓扑中的快速换向过程中避免栅极峰值。该设备集成了保护功能:提供专用 SD 和制动引脚,包括 UVLO 和热关闭,可轻松设计高可靠性系统。

4 A Miller 夹
UVLO 功能
可配置联锁功能
专用 SD 和制动销
栅极驱动电压高达 26 V
3.3 V、5 V TTL/CMOS 输入,带滞后特性
温度关闭保护
待机功能
6 kV 电化隔离
宽主体 SO-36W

在半桥拓扑中,联锁功能可防止同时输出高电平,避免在逻辑输入命令错误的情况下出现直通条件。联锁功能可通过专用配置引脚禁用,允许独立和并行操作两个通道。输入到输出传播延迟结果包含在 75 ns 内,提供高 PWM 控制精确度。备用模式可用于降低空闲功耗。

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。