Infineon MOSFET驱动器, CMOS逻辑, PG-DSO-16., 16针, 3.3 → 5V电源, 8.5 A输出

可享批量折扣

小计(1 卷,共 1000 件)*

¥15,629.00

(不含税)

¥17,661.00

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
库存信息目前无法查询
单位
每单位
每卷*
1000 - 1000RMB15.629RMB15,629.00
2000 - 2000RMB15.577RMB15,577.00
3000 +RMB15.526RMB15,526.00

* 参考价格

RS 库存编号:
240-6367
制造商零件编号:
1ED3321MC12NXUMA1
制造商:
Infineon
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Infineon

逻辑类型

CMOS

输出电流

8.5 A

电源电压

3.3 → 5V

引脚数目

16

下降时间

20ns

封装类型

PG-DSO-16.

驱动器类型

MOSFET

Infineon 8.5 A , 5.7 kV 有效值单通道隔离栅极驱动器,带短路保护,有源 Miller 夹和软关闭, UL 1577 和 VDE 0884-11 认证。EiceDRIVER ™增强型单通道隔离栅极驱动器,具有 +6 A 至 -8.5 A 的典型源电流和阱 Peak 输出电流,采用 DSO-16 宽主体封装,具有 8 mm 爬电距离,用于 IGBT , MOSFET 和 SiC MOSFET。 1ED3321MC12N 属于 EiceDRIVER ™ Enhanced 1ED332x 系列 F3。1ED3321 为 IGBT 和 SiC MOSFET 提供短路保护低电压。驱动器 IC 实现独立的源电压和汇电流输出,可在宽电源电压范围内工作,单极或双极,并具有紧密的产品到产品传播延迟匹配。

单通道电化隔离无芯变压器 CT 栅极驱动器
集成保护功能,如短路保护低电平,软关闭,有源 Miller 钳位和有源关闭
适合与 600 V , 650 V , 1200 V , 1700 V , 2300 V IGBT , Si 和 SiC MOSFET 一起使用
高达 +6 A 至 -85 A 的典型 Peak 输出电流
40 V 绝对最大输出电源电压 VCC2
高共模瞬时抗扰 μs 大于 300 kV/ μ s
85 ns 短传播延迟
紧密的 IC 到 IC 传播延迟,最大匹配 15 ns
33 V 和 5 V 输入电源电压 VCC1

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。