Infineon MOSFET驱动器, PG-VSON-10, 11针, 11V电源, 2 A输出
- RS 库存编号:
- 240-8518
- 制造商零件编号:
- 1EDN7116GXTMA1
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 240-8518
- 制造商零件编号:
- 1EDN7116GXTMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 输出电流 | 2 A | |
| 电源电压 | 11V | |
| 引脚数目 | 11 | |
| 下降时间 | 3ns | |
| 封装类型 | PG-VSON-10 | |
| 驱动器类型 | MOSFET | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
输出电流 2 A | ||
电源电压 11V | ||
引脚数目 11 | ||
下降时间 3ns | ||
封装类型 PG-VSON-10 | ||
驱动器类型 MOSFET | ||
Infineon EiceDRIVER ™ 1EDN7116G 是一款单通道栅极驱动器 IC ，经优化可与 CoolGaN HEMT 兼容，并且还与其他肖特基栅极 (SG) GaN HEMT 和硅 MOSFET 兼容，这得益于真正的差分输入 (TDI) 功能， 栅极驱动器输出状态完全由两个输入之间的电压差控制，只要共模电压低于 150 V (静态) 和 200 V (动态) ，就完全独立于驱动器的参考 (接地) 电位。这消除了低侧应用中由于接地颤动而导致的错误触发风险，同时还允许 1EDN7116G 用于高侧应用。
在低侧或高侧操作中，避免错误触发高共模输入电压范围，用于高侧操作 快速切换瞬变兼容 3.3 V 或 5 V 输入逻辑有源 Miller 夹，具有 5 A 阱容量 为避免感应开启可调电荷泵用于负关闭电源电压，适用于驱动 GaN HEMT 或 Si MOSFET 符合 JEDEC 标准，适用于目标应用