Infineon 栅极驱动模块, CMOS逻辑, DSO-14, 14针, 600V电源, 500 mA输出
- RS 库存编号:
- 244-0873
- 制造商零件编号:
- 2EDL05N06PJXUMA1
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|---|
| 2 - 8 | RMB11.04 | RMB22.08 |
| 10 - 98 | RMB10.77 | RMB21.54 |
| 100 - 248 | RMB10.51 | RMB21.02 |
| 250 - 498 | RMB10.26 | RMB20.52 |
| 500 + | RMB10.015 | RMB20.03 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 244-0873
- 制造商零件编号:
- 2EDL05N06PJXUMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 逻辑类型 | CMOS | |
| 输出电流 | 500 mA | |
| 电源电压 | 600V | |
| 引脚数目 | 14 | |
| 下降时间 | 40ns | |
| 封装类型 | DSO-14 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
逻辑类型 CMOS | ||
输出电流 500 mA | ||
电源电压 600V | ||
引脚数目 14 | ||
下降时间 40ns | ||
封装类型 DSO-14 | ||
带有集成阴极负载二极管的 Infineon 650 V 半桥栅极驱动器拥有独特的 Infineon 绝缘体上薄膜硅 (SOI) 技术，具有色的耐用性和抗噪性。Schmitt 触发逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 逻辑向下兼容至 3.3 V。输出驱动器拥有高脉冲电流缓冲级，设计用于将驱动器跨导降至最低。浮动沟道可用于在工作电压高达 600 V 的高端配置中控制 N 沟道 power MOSFET 或 IGBT。此外，离线箝位功能可在未给 IC 供电时通过浮动栅极条件提供对寄生导通的固有保护。
Infineon 薄膜 SOI 技术
完全可运行至 +600 V
设计用于阴极负载操作的浮动沟道
栅极驱动电源范围为 10 V 至 20 V
两个沟道欠压锁定
3.3 V、5 V 和 15 V 输入逻辑兼容
符合 RoHS 标准
完全可运行至 +600 V
设计用于阴极负载操作的浮动沟道
栅极驱动电源范围为 10 V 至 20 V
两个沟道欠压锁定
3.3 V、5 V 和 15 V 输入逻辑兼容
符合 RoHS 标准