Infineon MOSFET驱动器, CMOS逻辑, SOT23-6, 4针, 4.5 → 20V电源, 8 A输出
- RS 库存编号:
- 244-2255
- 制造商零件编号:
- 1EDN7550BXTSA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | RMB2.718 | RMB8,154.00 |
| 6000 - 6000 | RMB2.664 | RMB7,992.00 |
| 9000 + | RMB2.584 | RMB7,752.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 244-2255
- 制造商零件编号:
- 1EDN7550BXTSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 逻辑类型 | CMOS | |
| 输出电流 | 8 A | |
| 电源电压 | 4.5 → 20V | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 下降时间 | 15ns | |
| 封装类型 | SOT23-6 | |
| 驱动器类型 | MOSFET | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
逻辑类型 CMOS | ||
输出电流 8 A | ||
电源电压 4.5 → 20V | ||
引脚数目 4 | ||
下降时间 15ns | ||
封装类型 SOT23-6 | ||
驱动器类型 MOSFET | ||
Infineon 1EDNx550 EiceDRIVERTM Gate Driver IC 是单通道、非隔离栅极驱动 IC，具有真正的差分输入（TDI），以防止功率 MOSFET 的错误触发。
非常大的共模输入电压
范围（CMR 静态），高达 ±200 V
可通过共模电阻器配置。
单独的低阻抗源（4 A）和
散热器（8 A）输出。
45 ns 传播延迟（-7/+10 ns 精确度）。
四个 UVLO 选项：4 V、8 V、12 V 和 15 V。
SOT23-6 或 TSNP-6 小封装。
完全符合 JEDEC
工业应用标准。
范围（CMR 静态），高达 ±200 V
可通过共模电阻器配置。
单独的低阻抗源（4 A）和
散热器（8 A）输出。
45 ns 传播延迟（-7/+10 ns 精确度）。
四个 UVLO 选项：4 V、8 V、12 V 和 15 V。
SOT23-6 或 TSNP-6 小封装。
完全符合 JEDEC
工业应用标准。