onsemi MOSFET驱动器, SOIC, 16针, 5V电源

ON Semiconductor−高电流 IGBT/MOSFET 栅极驱动器是高 1 μ A 电流单通道。IGBT/MOSFET 栅极驱动器具有 5 kVrms 内部电化隔离，设计用于在高功率应用中实现高系统效率和高可靠性。该设备接受补充输入，并根据引脚配置提供有源 Miller 夹 (A/D/F 型) ，负电源 (B 型) 和单独的高和低 (Oth 和 OTL) 驱动器输出 (C/E 型) 等选项，以方便系统设计。该驱动器可容纳从 3.3V 到 20V 的各种输入偏置电压和信号电平，并提供宽−Ω 主体 SOIC−8 封装。

高 Peak 输出电流 (+6.5 A/−6.5 A)
低钳位电压降消除了对负电源的需求，以防止寄生栅极开启−μ V (A/D/F 型)
具有精确匹配的短传播延迟
短路时 IGBT/MOSFET 栅极夹紧
IGBT/MOSFET 栅极有源下拉
精密 UVLO 阈值，用于偏置灵活性
宽偏置电压范围，包括负极 VEE2 (型号 B)
3.3 V ， 5 V 和 15 V 逻辑输入
5 kVrms 电流隔离
高瞬时抗扰性
高电磁抗扰性