onsemi , NCP51561DADWR2G MOSFET MOSFET, SOIC, 16引脚 5 V, 6.5 A输出
- RS Stock No.:
- 244-9158
- Mfr. Part No.:
- NCP51561DADWR2G
- Brand:
- onsemi
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Units | Per unit |
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| 10 - 99 | RMB23.43 |
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- NCP51561DADWR2G
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- onsemi
Specifications
Technical Reference
Legislation and Compliance
Product Details
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Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 输出电流 | 6.5A | |
| 引脚数目 | 16 | |
| 下降时间 | 16ns | |
| 包装类型 | SOIC | |
| 驱动器类型 | MOSFET | |
| 上升时间 | 19ns | |
| 最低电源电压 | 5V | |
| 最大电源电压 | 5V | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 系列 | NCP51 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| Select all | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 MOSFET | ||
输出电流 6.5A | ||
引脚数目 16 | ||
下降时间 16ns | ||
包装类型 SOIC | ||
驱动器类型 MOSFET | ||
上升时间 19ns | ||
最低电源电压 5V | ||
最大电源电压 5V | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
系列 NCP51 | ||
汽车标准 否 | ||
ON Semiconductor−高电流 IGBT/MOSFET 栅极驱动器是高 1 μ A 电流单通道。IGBT/MOSFET 栅极驱动器具有 5 kVrms 内部电化隔离，设计用于在高功率应用中实现高系统效率和高可靠性。该设备接受补充输入，并根据引脚配置提供有源 Miller 夹 (A/D/F 型) ，负电源 (B 型) 和单独的高和低 (Oth 和 OTL) 驱动器输出 (C/E 型) 等选项，以方便系统设计。该驱动器可容纳从 3.3V 到 20V 的各种输入偏置电压和信号电平，并提供宽−Ω 主体 SOIC−8 封装。
高 Peak 输出电流 (+6.5 A/−6.5 A)
低钳位电压降消除了对负电源的需求，以防止寄生栅极开启−μ V (A/D/F 型)
具有精确匹配的短传播延迟
短路时 IGBT/MOSFET 栅极夹紧
IGBT/MOSFET 栅极有源下拉
精密 UVLO 阈值，用于偏置灵活性
宽偏置电压范围，包括负极 VEE2 (型号 B)
3.3 V ， 5 V 和 15 V 逻辑输入
5 kVrms 电流隔离
高瞬时抗扰性
高电磁抗扰性