onsemi MOSFET MOSFET, SOIC, 16引脚 5V, 6.5 A输出

RS 库存编号:: 244-9161P
制造商零件编号:: NCP51561DBDWR2G
制造商:: onsemi

onsemi MOSFET MOSFET, SOIC, 16引脚 5V, 6.5 A输出

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	onsemi
	产品类型	MOSFET
	输出电流	6.5A
	引脚数目	16
	下降时间	16ns
	包装类型	SOIC
	驱动器类型	MOSFET
	上升时间	19ns
	最低电源电压	5V
	最大电源电压	5V
	最低工作温度	-40°C
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	No
	系列	NCP51
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 onsemi
	产品类型 MOSFET
	输出电流 6.5A
	引脚数目 16
	下降时间 16ns
	包装类型 SOIC
	驱动器类型 MOSFET
	上升时间 19ns
	最低电源电压 5V
	最大电源电压 5V
	最低工作温度 -40°C
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 No
	系列 NCP51
	汽车标准否

Datasheet - NCP51561DBDWR2G

ON Semiconductor−高电流 IGBT/MOSFET 栅极驱动器是高 1 μ A 电流单通道。IGBT/MOSFET 栅极驱动器具有 5 kVrms 内部电化隔离，设计用于在高功率应用中实现高系统效率和高可靠性。该设备接受补充输入，并根据引脚配置提供有源 Miller 夹 (A/D/F 型) ，负电源 (B 型) 和单独的高和低 (Oth 和 OTL) 驱动器输出 (C/E 型) 等选项，以方便系统设计。该驱动器可容纳从 3.3V 到 20V 的各种输入偏置电压和信号电平，并提供宽−Ω 主体 SOIC−8 封装。

高 Peak 输出电流 (+6.5 A/−6.5 A)

低钳位电压降消除了对负电源的需求，以防止寄生栅极开启−μ V (A/D/F 型)

具有精确匹配的短传播延迟

短路时 IGBT/MOSFET 栅极夹紧

IGBT/MOSFET 栅极有源下拉

精密 UVLO 阈值，用于偏置灵活性

宽偏置电压范围，包括负极 VEE2 (型号 B)

3.3 V ， 5 V 和 15 V 逻辑输入

5 kVrms 电流隔离

高瞬时抗扰性

高电磁抗扰性

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