onsemi MOSFET驱动器, SOIC, 8针, 22V电源

ON Semiconductor 高−Ω 电流单通道 IGBT/MOSFET 栅极驱动器具有 3.75 kVrms 内部电化隔离，设计用于高功率应用中的高系统效率和可靠性。该设备接受补充输入，并根据引脚配置提供有源 Miller 夹 (A 型) ，负电源 (B 型) 和单独的高和低 (Oth 和 OTL) 驱动器输出 (C 型) 等选项，以方便系统设计。该驱动器可容纳从 3.3 V 至 20 V 的各种输入偏置电压和信号电平，并提供窄−Ω 主体 SOIC−8 封装。

高 Peak 输出电流 (+6.5 A/−6.5 A)
低钳位电压降，无需负电源
电源可防止虚假门开启−Ω (A 型)
具有精确匹配的短传播延迟
短路时 IGBT/MOSFET 栅极夹紧
IGBT/MOSFET 栅极有源下拉
精密 UVLO 阈值，用于偏置灵活性
宽偏置电压范围，包括负极 VEE2 (型号 B)
3.3 V ， 5 V 和 15 V 逻辑输入
3.75 kVrms Viso (I−O) (符合 UL1577 要求)