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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 9 | RMB43.60 |
| 10 - 99 | RMB42.55 |
| 100 - 249 | RMB41.54 |
| 250 - 499 | RMB40.53 |
| 500 + | RMB39.56 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 244-9167
- 制造商零件编号:
- NCV57081CDR2G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 电源电压 | 22V | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 下降时间 | 13ns | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 驱动器类型 | MOSFET | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
电源电压 22V | ||
引脚数目 8 | ||
下降时间 13ns | ||
封装类型 SOIC | ||
驱动器类型 MOSFET | ||
ON Semiconductor 高−Ω 电流单通道 IGBT/MOSFET 栅极驱动器具有 3.75 kVrms 内部电化隔离，设计用于高功率应用中的高系统效率和可靠性。该设备接受补充输入，并根据引脚配置提供有源 Miller 夹 (A 型) ，负电源 (B 型) 和单独的高和低 (Oth 和 OTL) 驱动器输出 (C 型) 等选项，以方便系统设计。该驱动器可容纳从 3.3 V 至 20 V 的各种输入偏置电压和信号电平，并提供窄−Ω 主体 SOIC−8 封装。
高 Peak 输出电流 (+6.5 A/−6.5 A)
低钳位电压降，无需负电源
电源可防止虚假门开启−Ω (A 型)
具有精确匹配的短传播延迟
短路时 IGBT/MOSFET 栅极夹紧
IGBT/MOSFET 栅极有源下拉
精密 UVLO 阈值，用于偏置灵活性
宽偏置电压范围，包括负极 VEE2 (型号 B)
3.3 V ， 5 V 和 15 V 逻辑输入
3.75 kVrms Viso (I−O) (符合 UL1577 要求)
低钳位电压降，无需负电源
电源可防止虚假门开启−Ω (A 型)
具有精确匹配的短传播延迟
短路时 IGBT/MOSFET 栅极夹紧
IGBT/MOSFET 栅极有源下拉
精密 UVLO 阈值，用于偏置灵活性
宽偏置电压范围，包括负极 VEE2 (型号 B)
3.3 V ， 5 V 和 15 V 逻辑输入
3.75 kVrms Viso (I−O) (符合 UL1577 要求)