Infineon 栅极驱动模块, CMOS, LSTTL逻辑, 8 引线 SOIC, 8针, 10 → 20V电源, 600 毫安输出
- RS 库存编号:
- 257-5881
- 制造商零件编号:
- IRS2108SPBF
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | RMB13.426 | RMB67.13 |
| 10 - 20 | RMB12.056 | RMB60.28 |
| 25 - 45 | RMB11.38 | RMB56.90 |
| 50 - 95 | RMB11.146 | RMB55.73 |
| 100 + | RMB9.726 | RMB48.63 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 257-5881
- 制造商零件编号:
- IRS2108SPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 逻辑类型 | CMOS, LSTTL | |
| 输出电流 | 600 毫安 | |
| 电源电压 | 10 → 20V | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 封装类型 | 8 引线 SOIC | |
| 下降时间 | 35ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
逻辑类型 CMOS, LSTTL | ||
输出电流 600 毫安 | ||
电源电压 10 → 20V | ||
引脚数目 8 | ||
封装类型 8 引线 SOIC | ||
下降时间 35ns | ||
这款 Infineon 半桥驱动器是高电压、高速度的功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，带有依赖的高侧和低侧参考输出通道。专有的 HVIC 和锁存免疫 CMOS 技术造就了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3 V 逻辑。驱动器输出具有高脉冲电流缓冲级，设计用于最大程度减小驱动器交叉传导。浮动通道可用于驱动高侧配置中的 N 通道功率 MOSFET 或 IGBT，工作电压高达 600 V。
耐受负瞬态电压，不受 dV/dt 影响
栅极驱动电源范围为 10 V 至 20 V
双通道欠压锁定
兼容 33 V、5 V 和 15 V 逻辑输入
防交叉传导逻辑
双通道匹配传播延迟
高侧输出与 HIN 输入同相
低侧输出与 LIN 输入反相
逻辑和电源接地 +/- 5 V 偏置
栅极驱动电源范围为 10 V 至 20 V
双通道欠压锁定
兼容 33 V、5 V 和 15 V 逻辑输入
防交叉传导逻辑
双通道匹配传播延迟
高侧输出与 HIN 输入同相
低侧输出与 LIN 输入反相
逻辑和电源接地 +/- 5 V 偏置