Infineon 栅极驱动模块, CMOS, LSTTL逻辑, DSO, 10 → 20V电源, 2.5 A输出
- RS 库存编号:
- 258-0612
- 制造商零件编号:
- 2ED2184S06FXUMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | RMB8.078 | RMB20,195.00 |
| 5000 - 5000 | RMB7.917 | RMB19,792.50 |
| 7500 + | RMB7.679 | RMB19,197.50 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 258-0612
- 制造商零件编号:
- 2ED2184S06FXUMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 逻辑类型 | CMOS, LSTTL | |
| 输出电流 | 2.5 A | |
| 电源电压 | 10 → 20V | |
| 下降时间 | 15ns | |
| 封装类型 | DSO | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
逻辑类型 CMOS, LSTTL | ||
输出电流 2.5 A | ||
电源电压 10 → 20V | ||
下降时间 15ns | ||
封装类型 DSO | ||
Infineon 650 V 半桥高电流和高速门驱动器,用于 MOSFET 和 IGBT,带典型 2.5 A 散流器和源电流,采用 DSO-8 封装。基于 Infineon SOI 技术,具有出色的坚固性和 VS 引脚上的负瞬态电压抗噪性。器件中不存在寄生闸流晶体管结构,因此在所有温度和电压条件下都不会出现寄生闸流晶体管闭锁。
负 VS 瞬态抗扰性为 100 V
集成超快速、低电阻引导二极管,降低 BOM 成本
浮动通道设计用于引导带操作
集成射击穿透保护,带内置死亡时间 (400 ns)
最大电源电压为 25 V
降低 50% 电平移位损耗
集成超快速、低电阻引导二极管,降低 BOM 成本
浮动通道设计用于引导带操作
集成射击穿透保护,带内置死亡时间 (400 ns)
最大电源电压为 25 V
降低 50% 电平移位损耗