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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | RMB11.097 | RMB11,097.00 |
| 2000 - 2000 | RMB10.875 | RMB10,875.00 |
| 3000 + | RMB10.549 | RMB10,549.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 258-0624
- 制造商零件编号:
- 2EDS8165HXUMA2
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 输出电流 | 2A | |
| 下降时间 | 4.5ns | |
| 驱动器类型 | MOSFET | |
| 最低电源电压 | 3V | |
| 最大电源电压 | 3.5V | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最高工作温度 | 125°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
输出电流 2A | ||
下降时间 4.5ns | ||
驱动器类型 MOSFET | ||
最低电源电压 3V | ||
最大电源电压 3.5V | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最高工作温度 125°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon EiceDRIVER 2EDi 是一系列快速双通道隔离 MOSFET 网关驱动器 IC,通过无芯变压器技术提供功能或强化输入到输出隔离。由于具有高驱动电流、出色的共模抑制和快速信号传播,2EDi 特别适用于在快速切换电源系统中驱动中至高电压 MOSFET。
电阻器可编程死亡时间控制范围为 15 ns 至 250 ns
共模瞬态抗扰 CMTI >150 V/ns
如果输入侧面欠压锁定,则可快速安全关闭
输出电源电压从 4.5 V 至 20 V,带 4 V 或 8 V UVLO 阈值
相关链接
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