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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | RMB5.724 | RMB28.62 |
| 10 - 95 | RMB5.108 | RMB25.54 |
| 100 - 245 | RMB4.732 | RMB23.66 |
| 250 - 495 | RMB4.002 | RMB20.01 |
| 500 + | RMB3.74 | RMB18.70 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 258-4003
- 制造商零件编号:
- IRS2008STRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 逻辑类型 | CMOS | |
| 电源电压 | 25V | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 下降时间 | 30ns | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
逻辑类型 CMOS | ||
电源电压 25V | ||
引脚数目 8 | ||
下降时间 30ns | ||
封装类型 SOIC | ||
Infineon 半桥驱动器是高电压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,带有独立的高侧和低侧参考输出通道。专有的 HVIC 和闩锁防护 CMOS 技术可实现坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容,低至 3.3 V 逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲器级别,设计用于最小驱动器交叉传导。浮动通道可用于驱动高侧配置中的 N 通道功率 MOSFET 或 IGBT,工作电压高达 200 V。传播延迟匹配,以简化 HVIC 在高频应用中的使用。
每个通道的门驱动器电源高达 20 V
欠压锁定,用于 VCC、VBS
耐受负瞬态电压
设计用于与引导电源一起使用
交叉传导防止逻辑
两个通道的匹配传播延迟
内部设置死亡时间
带输入的相位高侧输出
欠压锁定,用于 VCC、VBS
耐受负瞬态电压
设计用于与引导电源一起使用
交叉传导防止逻辑
两个通道的匹配传播延迟
内部设置死亡时间
带输入的相位高侧输出