Infineon 栅极驱动模块, CMOS, LSTTL逻辑, SOIC 14N

Infineon 高电压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,带独立的高侧和低侧参考输出通道。专有的 HVIC 和闩锁防护 CMOS 技术可实现坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容,低至 3.3 V 逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲器级别,设计用于最小驱动器交叉传导。浮动通道可用于驱动高侧配置中的 N 通道功率 MOSFET 或 IGBT,工作电压高达 600 V。

门驱动电源范围为 10 V 至 20 V
两个通道的欠压锁定
兼容 3.3 V 和 5 V 输入逻辑
两个通道的匹配传播延迟
逻辑和电源接地 +/- 5 V 偏置
较低的 di/dt 栅极驱动器,可提供更好的抗噪性
输出源/吸收器电流容量 1.4 A/1.8 A
符合 RoHS 标准