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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | RMB9.48 | RMB23,700.00 |
| 5000 - 5000 | RMB9.29 | RMB23,225.00 |
| 7500 + | RMB9.011 | RMB22,527.50 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 258-4007
- 制造商零件编号:
- IRS21814STRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 逻辑类型 | CMOS, LSTTL | |
| 封装类型 | SOIC 14N | |
| 下降时间 | 35ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
逻辑类型 CMOS, LSTTL | ||
封装类型 SOIC 14N | ||
下降时间 35ns | ||
Infineon 高电压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,带独立的高侧和低侧参考输出通道。专有的 HVIC 和闩锁防护 CMOS 技术可实现坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容,低至 3.3 V 逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲器级别,设计用于最小驱动器交叉传导。浮动通道可用于驱动高侧配置中的 N 通道功率 MOSFET 或 IGBT,工作电压高达 600 V。
门驱动电源范围为 10 V 至 20 V
两个通道的欠压锁定
兼容 3.3 V 和 5 V 输入逻辑
两个通道的匹配传播延迟
逻辑和电源接地 +/- 5 V 偏置
较低的 di/dt 栅极驱动器,可提供更好的抗噪性
输出源/吸收器电流容量 1.4 A/1.8 A
符合 RoHS 标准
两个通道的欠压锁定
兼容 3.3 V 和 5 V 输入逻辑
两个通道的匹配传播延迟
逻辑和电源接地 +/- 5 V 偏置
较低的 di/dt 栅极驱动器,可提供更好的抗噪性
输出源/吸收器电流容量 1.4 A/1.8 A
符合 RoHS 标准