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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | RMB12.20 | RMB24.40 |
| 10 - 98 | RMB10.935 | RMB21.87 |
| 100 - 248 | RMB10.32 | RMB20.64 |
| 250 - 498 | RMB8.78 | RMB17.56 |
| 500 + | RMB8.255 | RMB16.51 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 258-4010
- 制造商零件编号:
- IRS2181STRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 逻辑类型 | CMOS | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 下降时间 | 20ns | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
逻辑类型 CMOS | ||
引脚数目 8 | ||
下降时间 20ns | ||
封装类型 SOIC | ||
Infineon 高侧和低侧驱动器是高电压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,带独立的高侧和低侧参考输出通道。专有的 HVIC 和闩锁防护 CMOS 技术可实现坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容,低至 3.3 V 逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲器级别,设计用于最小驱动器交叉传导。浮动通道可用于驱动高侧配置中的 N 通道功率 MOSFET 或 IGBT,工作电压高达 600 V。
浮动通道设计用于引导带操作
完全工作,高达 +600 V
耐受负瞬态电压,dV/dt 免疫
门驱动电源范围为 10 V 至 20 V
两个通道的欠压锁定
两个通道的匹配传播延迟
逻辑和电源接地 +/- 5 V 偏置
较低的 di/dt 栅极驱动器,可提供更好的抗噪性
完全工作,高达 +600 V
耐受负瞬态电压,dV/dt 免疫
门驱动电源范围为 10 V 至 20 V
两个通道的欠压锁定
两个通道的匹配传播延迟
逻辑和电源接地 +/- 5 V 偏置
较低的 di/dt 栅极驱动器,可提供更好的抗噪性