Renesas Electronics 栅极驱动器模块 MOSFET, SOIC, 10引脚 100 V, 1.69 mA输出
- RS 库存编号:
- 264-3549
- 制造商零件编号:
- HIP2210FRTZ
- 制造商:
- Renesas Electronics
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 264-3549
- 制造商零件编号:
- HIP2210FRTZ
- 制造商:
- Renesas Electronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Renesas Electronics | |
| 产品类型 | 栅极驱动器模块 | |
| 输出电流 | 1.69mA | |
| 引脚数目 | 10 | |
| 下降时间 | 790ns | |
| 包装类型 | SOIC | |
| 驱动器类型 | MOSFET | |
| 上升时间 | 20ns | |
| 最低电源电压 | 100V | |
| 最大电源电压 | 100V | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最高工作温度 | 125°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 高度 | 1.75mm | |
| 系列 | HIP2210 | |
| 宽度 | 4 mm | |
| 长度 | 5mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Renesas Electronics | ||
产品类型 栅极驱动器模块 | ||
输出电流 1.69mA | ||
引脚数目 10 | ||
下降时间 790ns | ||
包装类型 SOIC | ||
驱动器类型 MOSFET | ||
上升时间 20ns | ||
最低电源电压 100V | ||
最大电源电压 100V | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最高工作温度 125°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
高度 1.75mm | ||
系列 HIP2210 | ||
宽度 4 mm | ||
长度 5mm | ||
汽车标准 否 | ||
Renesas Electronics 高频半桥 NMOS FET 驱动器。这是一个三级 PWM 输入,带可编程死亡时间。其宽工作电源范围为 6V 至
18V 和集成高侧引导条二极管支持在 100V 半桥应用中驱动高侧和低侧 NMOS。
集成 0.5Ω 典型引导二极管
坚固的噪声容差
VDD 和启动欠压锁定