Renesas Electronics 栅极驱动模块, NMOS逻辑, 10针, 100V电源
- RS 库存编号:
- 264-3550
- 制造商零件编号:
- HIP2210FRTZ
- 制造商:
- Renesas Electronics
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RMB12.062 | RMB60.31 |
| 25 - 45 | RMB10.306 | RMB51.53 |
| 50 - 95 | RMB10.098 | RMB50.49 |
| 100 - 245 | RMB9.896 | RMB49.48 |
| 250 + | RMB9.698 | RMB48.49 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 264-3550
- 制造商零件编号:
- HIP2210FRTZ
- 制造商:
- Renesas Electronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Renesas Electronics | |
| 逻辑类型 | NMOS | |
| 电源电压 | 100V | |
| 引脚数目 | 10 | |
| 下降时间 | 790ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Renesas Electronics | ||
逻辑类型 NMOS | ||
电源电压 100V | ||
引脚数目 10 | ||
下降时间 790ns | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Renesas Electronics 高频半桥 NMOS FET 驱动器。这是一个三级 PWM 输入,带可编程死亡时间。其宽工作电源范围为 6V 至
18V 和集成高侧引导条二极管支持在 100V 半桥应用中驱动高侧和低侧 NMOS。
18V 和集成高侧引导条二极管支持在 100V 半桥应用中驱动高侧和低侧 NMOS。
集成 0.5Ω 典型引导二极管
坚固的噪声容差
VDD 和启动欠压锁定
坚固的噪声容差
VDD 和启动欠压锁定