Samsung 4 TB固态硬盘 SSD, PCIe Gen 4.0 x4 NVMe接口, M.2, 三星固态硬盘 990 EVO Plus, V-NAND TLC
- RS 库存编号:
- 566-912
- 制造商零件编号:
- MZ-V9S4T0BW
- 制造商:
- Samsung
小计（1 件）*
¥3,880.13
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 + | RMB3,880.13 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 566-912
- 制造商零件编号:
- MZ-V9S4T0BW
- 制造商:
- Samsung
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Samsung | |
| 型号 | 三星固态硬盘 990 EVO Plus | |
| 硬盘驱动器类型 | SSD | |
| 内部/外部 | 内部 | |
| 外形 | M.2 | |
| 接口 | PCIe Gen 4.0 x4 NVMe | |
| 容量 | 4 TB | |
| Nand 类型 | V-NAND TLC | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Samsung | ||
型号 三星固态硬盘 990 EVO Plus | ||
硬盘驱动器类型 SSD | ||
内部/外部 内部 | ||
外形 M.2 | ||
接口 PCIe Gen 4.0 x4 NVMe | ||
容量 4 TB | ||
Nand 类型 V-NAND TLC | ||
- COO (Country of Origin):
- KR
精密运算放大器，Texas Instruments
一系列来自 Texas Instruments 的精密运算放大器，具有低输入偏置电压，且随温度发生的偏置电压偏移较小。 这些设备具有稳定的可预测工作特性，这在众多要求苛刻的应用中至关重要。 CMOS 和 JFET 输入类型还具有极低的输入偏置电流，这使它们非常适合在要求较高电阻值的电路中使用。
三星固态硬盘的连续读/写速度高达 7,250/6,300 MB/s，比 990 EVO 快 45%，日常运行速度惊人。它采用最新的 NAND 和快速智能 TurboWrite 2.0，可确保即时传输大文件。它的能效提高了 73%，在保持顶级性能和热控制的同时，每瓦可提供更高的 MB/s 速率。这款固态硬盘专为速度、效率和可靠性而设计，是快速完成任务的理想之选。
Samsung Magician 软件的优化工具可确保固态硬盘的最佳性能
5 年有限保修
AES 256 位加密
支持设备睡眠模式
5 年有限保修
AES 256 位加密
支持设备睡眠模式