STMicroelectronics N沟道IGBT, Ic 14A, VCEO 1200 V, 3针, D2PAK, 贴片安装
- RS 库存编号:
- 151-940
- 制造商零件编号:
- STGB3NC120HDT4
- 制造商:
- STMicroelectronics
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单位 | 每单位 | Per Tape* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB15.742 | RMB78.71 |
| 50 - 95 | RMB14.946 | RMB74.73 |
| 100 - 495 | RMB13.846 | RMB69.23 |
| 500 + | RMB12.744 | RMB63.72 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 151-940
- 制造商零件编号:
- STGB3NC120HDT4
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 最大连续集电极电流 | 14A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 1200 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 晶体管数 | 1 | |
| 最大功率耗散 | 75 W | |
| 封装类型 | D2PAK | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 通道类型 | N | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
最大连续集电极电流 14A | ||
最大集电极-发射极电压 1200 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
晶体管数 1 | ||
最大功率耗散 75 W | ||
封装类型 D2PAK | ||
安装类型 贴片 | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 3 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
意法半导体的 IGBT 在低导通损耗和快速开关性能之间实现了出色的平衡。它采用 Power MESH 技术与高压超高速二极管相结合的设计。
高耐压能力
高速度
非常软的超快恢复反并联二极管
高速度
非常软的超快恢复反并联二极管