STMicroelectronics N沟道IGBT, Ic 14A, VCEO 1200 V, 3针, D2PAK, 贴片安装
- RS 库存编号:
- 151-940P
- 制造商零件编号:
- STGB3NC120HDT4
- 制造商:
- STMicroelectronics
可享批量折扣
小计 50 件 (按连续条带形式提供)*
¥747.30
(不含税)
¥844.45
(含税)
有库存
- 975 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 95 | RMB14.946 |
| 100 - 495 | RMB13.846 |
| 500 + | RMB12.744 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 151-940P
- 制造商零件编号:
- STGB3NC120HDT4
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 最大连续集电极电流 | 14A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 1200 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 最大功率耗散 | 75 W | |
| 晶体管数 | 1 | |
| 封装类型 | D2PAK | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 通道类型 | N | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
最大连续集电极电流 14A | ||
最大集电极-发射极电压 1200 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
最大功率耗散 75 W | ||
晶体管数 1 | ||
封装类型 D2PAK | ||
安装类型 贴片 | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 3 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
意法半导体的 IGBT 在低导通损耗和快速开关性能之间实现了出色的平衡。它采用 Power MESH 技术与高压超高速二极管相结合的设计。
高耐压能力
高速度
非常软的超快恢复反并联二极管
高速度
非常软的超快恢复反并联二极管