STMicroelectronics N沟道IGBT, 3针, Ic 14 A, VCEO 1.2 kV, 15 ns, TO-263
- RS 库存编号:
- 151-940P
- 制造商零件编号:
- STGB3NC120HDT4
- 制造商:
- STMicroelectronics
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- RS 库存编号:
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- 制造商零件编号:
- STGB3NC120HDT4
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | IGBT | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 14A | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 1.2kV | |
| 最大功耗 Pd | 75W | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 槽架类型 | N | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 开关速度 | 15ns | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 2.8V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 1mm | |
| 长度 | 16mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 4.4mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 IGBT | ||
最大连续集电极电流 Ic 14A | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 1.2kV | ||
最大功耗 Pd 75W | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面 | ||
槽架类型 N | ||
引脚数目 3 | ||
开关速度 15ns | ||
最大栅极发射极电压 VGEO 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 2.8V | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 1mm | ||
长度 16mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 4.4mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics IGBT 在低导电损耗和快速切换性能之间展示出出色的交换。它采用 Power MESH 技术设计,结合高电压超快二极管。
高压能力
高速
非常柔软的超快速恢复抗并行二极管