IXYS N沟道IGBT模块串行晶体管, Ic 90 A, VCEO 1200 V, 7针, Y4 M5, 面板安装

查看所有IGBT
可享批量折扣

小计（1 件）*

¥607.72

(不含税)

¥686.72

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
暂时缺货
  • 在 2026年11月23日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位
每单位
1 - 1RMB607.72
2 - 2RMB589.50
3 +RMB571.83

* 参考价格

RS 库存编号:
193-880
制造商零件编号:
MII75-12A3
制造商:
IXYS
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

IXYS

最大连续集电极电流

90 A

最大集电极-发射极电压

1200 V

最大栅极发射极电压

±20V

配置

串行

封装类型

Y4 M5

安装类型

面板

通道类型

N

引脚数目

7

晶体管配置

串行

尺寸

94 x 34 x 30mm

最高工作温度

+150 °C

最低工作温度

-40 °C

IGBT 模块，IXYS


该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。



IGBT 分立元件和模块，IXYS


绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。