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    STMicroelectronics N沟道IGBT, Ic 119 A, VCEO 650 V, 3针, TO-247, 通孔安装

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    RS 库存编号:
    215-009
    制造商零件编号:
    STGWA50M65DF2AG
    制造商:
    STMicroelectronics
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    品牌

    STMicroelectronics

    最大连续集电极电流

    119 A

    最大集电极-发射极电压

    650 V

    最大栅极发射极电压

    ±20V

    最大功率耗散

    576 W

    晶体管数

    1

    封装类型

    TO-247

    配置

    安装类型

    通孔

    通道类型

    N

    引脚数目

    3