STMicroelectronics N型沟道, STGWA50M65DF2AG IGBT, 单管, 1个, Ic 119 A, VCEO 650 V, 3引脚, TO-247, 通孔安装
- RS 库存编号:
- 215-009
- 制造商零件编号:
- STGWA50M65DF2AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
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|---|---|
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- RS 库存编号:
- 215-009
- 制造商零件编号:
- STGWA50M65DF2AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 119A | |
| 产品类型 | IGBT | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 650V | |
| 最大功耗 Pd | 576W | |
| 晶体管数 | 1 | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 配置 | 单 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 2V | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | ±20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 20.1mm | |
| 宽度 | 15.70 to 15.90 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
最大连续集电极电流 Ic 119A | ||
产品类型 IGBT | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 650V | ||
最大功耗 Pd 576W | ||
晶体管数 1 | ||
包装类型 TO-247 | ||
配置 单 | ||
安装类型 通孔 | ||
槽架类型 N型 | ||
引脚数目 3 | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 2V | ||
最大栅极发射极电压 VGEO ±20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 20.1mm | ||
宽度 15.70 to 15.90 mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics IGBT 使用高级专有槽门现场顶部结构开发。该设备是 M 系列 IGBT 的一部分,它代表了变频器系统性能和效率之间的最佳平衡,在那里低损耗和短路功能是必不可少的。此外,正 VCE(sat) 温度系数和紧凑的参数分布导致更安全的并行操作。
尾电流最小化
严格的参数分布
更安全的并行