STMicroelectronics N沟道IGBT, Ic 119 A, VCEO 650 V, 3针, TO-247, 通孔安装
- RS 库存编号:
- 215-009
- 制造商零件编号:
- STGWA50M65DF2AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
小计(1 件)*
RMB35.22
(不含税)
RMB39.80
(含税)
现货库存,可于8工作日发货。
实时库存查询
单位 | 每单位 |
---|---|
1 + | RMB35.22 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 215-009
- 制造商零件编号:
- STGWA50M65DF2AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
---|---|---|
品牌 | STMicroelectronics | |
最大连续集电极电流 | 119 A | |
最大集电极-发射极电压 | 650 V | |
最大栅极发射极电压 | ±20V | |
最大功率耗散 | 576 W | |
晶体管数 | 1 | |
封装类型 | TO-247 | |
配置 | 单 | |
安装类型 | 通孔 | |
通道类型 | N | |
引脚数目 | 3 | |
选择全部 | ||
---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
最大连续集电极电流 119 A | ||
最大集电极-发射极电压 650 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
最大功率耗散 576 W | ||
晶体管数 1 | ||
封装类型 TO-247 | ||
配置 单 | ||
安装类型 通孔 | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 3 | ||