STMicroelectronics N沟道IGBT, Ic 80A, VCEO 1200V, 3针, TO-247, 通孔安装
- RS 库存编号:
- 215-030
- 制造商零件编号:
- GWA40MS120DF4AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
N
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 + | RMB46.06 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 215-030
- 制造商零件编号:
- GWA40MS120DF4AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 最大连续集电极电流 | 80A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 1200V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±30V | |
| 最大功率耗散 | 536 W | |
| 晶体管数 | 1 | |
| 配置 | 单 | |
| 封装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 通道类型 | N | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
最大连续集电极电流 80A | ||
最大集电极-发射极电压 1200V | ||
最大栅极发射极电压 ±30V | ||
最大功率耗散 536 W | ||
晶体管数 1 | ||
配置 单 | ||
封装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 3 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
意法半导体的 IGBT 采用先进的专有沟槽栅极场截止结构。该器件是 MS 系列 IGBT 的一部分，是低损耗 M 系列的升级产品，专为逆变器系统设计，在高母线电压值下具有出色的短路能力。此外，VCE（饱和）温度系数略微为正，参数分布非常紧凑，因此并联运行更加安全。
尾电流最小化
严格的参数分布
更安全的并联
严格的参数分布
更安全的并联