ROHM N型沟道, RGT8BM65DGTL1 IGBT, Ic 8 A, VCEO 650 V, 3引脚, TO-252GE, 表面安装

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RS 库存编号:
265-325
制造商零件编号:
RGT8BM65DGTL1
制造商:
ROHM
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品牌

ROHM

产品类型

IGBT

最大连续集电极电流 Ic

8A

最大集电极-发射极电压 Vceo

650V

最大功耗 Pd

62W

包装类型

TO-252GE

安装类型

表面

槽架类型

N型

引脚数目

3

最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT

2.1V

最大栅极发射极电压 VGEO

±30 V

最低工作温度

-40°C

最高工作温度

175°C

系列

RFN

标准/认证

RoHS Compliant

汽车标准

ROHM IGBT 为节能、高效和广泛的高压大电流应用做出了贡献。IGBT 的集电极到发射极饱和电压很低,因此在各种应用中都能发挥出很高的效率。它的短路耐受时间为 5 微秒,可确保在故障条件下保持稳定的性能。此外,它还配备了 RFN 系列的内置快速软恢复二极管。

低开关损耗

无铅电镀

符合 RoHS 标准