ROHM N沟道IGBT, Ic 95A, VCEO 650 V, 3针, TO-247GE, 通孔安装

可享批量折扣

小计(1 件)*

¥61.48

(不含税)

¥69.47

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
有库存
  • 另外 120 件在 2025年12月15日 发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
单位
每单位
1 - 9RMB61.48
10 - 99RMB55.36
100 - 499RMB51.08
500 - 999RMB47.38
1000 +RMB42.42

* 参考价格

RS 库存编号:
265-328
制造商零件编号:
RGTV00TS65DGC13
制造商:
ROHM
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

ROHM

最大连续集电极电流

95A

最大集电极-发射极电压

650 V

最大栅极发射极电压

±30V

最大功率耗散

276 W

晶体管数

1

配置

封装类型

TO-247GE

安装类型

通孔

通道类型

N

引脚数目

3

ROHM 650V 50A 现场停止沟槽式 IGBT 专为高性能应用而设计,集电极发射极饱和电压低,可提高效率。它具有高速开关功能,开关损耗低,非常适合需要快速转换的应用。此外,这种 IGBT 的短路耐受时间为 2 微秒,可在苛刻的环境中提供强大的保护和可靠性。

无铅电镀
符合 RoHS 标准
内置快速软恢复 FRD