onsemi N型沟道, NFAM3065L4BL IGBT, 3 相, 6个, Ic 30 A, VCEO 650 V, 39引脚, DIP-39, 通孔安装
- RS 库存编号:
- 277-038
- 制造商零件编号:
- NFAM3065L4BL
- 制造商:
- onsemi
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- RS 库存编号:
- 277-038
- 制造商零件编号:
- NFAM3065L4BL
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | IGBT | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 30A | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 650V | |
| 晶体管数 | 6 | |
| 最大功耗 Pd | 113W | |
| 包装类型 | DIP-39 | |
| 配置 | 3 相 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 引脚数目 | 39 | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 2.3V | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 31 mm | |
| 高度 | 5.6mm | |
| 长度 | 54.5mm | |
| 标准/认证 | Pb-Free, UL1557 (File No.339285), RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 IGBT | ||
最大连续集电极电流 Ic 30A | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 650V | ||
晶体管数 6 | ||
最大功耗 Pd 113W | ||
包装类型 DIP-39 | ||
配置 3 相 | ||
安装类型 通孔 | ||
槽架类型 N型 | ||
引脚数目 39 | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 2.3V | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 31 mm | ||
高度 5.6mm | ||
长度 54.5mm | ||
标准/认证 Pb-Free, UL1557 (File No.339285), RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- VN
安森美半导体集成逆变器电源模块采用高压侧栅极驱动器、LVIC、六个 IGBT 及一个温度传感器 (VTS)，非常适合驱动 PMSM、BLDC 及交流异步电机。IGBT 采用三相桥式排列，下脚采用独立的发射极连接，从而使控制算法的选择具有最大的灵活性。
主动逻辑接口
内置欠压保护
集成自举二极管和电阻器
独立的低压侧 IGBT 发射器连接，可对每个相位进行单独的电流检测