onsemi N沟道IGBT, 6个, Ic 30A, VCEO 650 V, 39针, DIP39, 通孔安装

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包装方式：
RS 库存编号:
277-038P
制造商零件编号:
NFAM3065L4BL
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

最大连续集电极电流

30A

最大集电极-发射极电压

650 V

最大功率耗散

113 W

晶体管数

6

配置

3 相

封装类型

DIP39

安装类型

通孔

通道类型

N

引脚数目

39

COO (Country of Origin):
VN
安森美半导体集成逆变器电源模块采用高压侧栅极驱动器、LVIC、六个 IGBT 及一个温度传感器 (VTS)，非常适合驱动 PMSM、BLDC 及交流异步电机。IGBT 采用三相桥式排列，下脚采用独立的发射极连接，从而使控制算法的选择具有最大的灵活性。

主动逻辑接口
内置欠压保护
集成自举二极管和电阻器
独立的低压侧 IGBT 发射器连接，可对每个相位进行单独的电流检测