onsemi N型, P型沟道, NXH800H120L7QDSG IGBT 电源模块, 半桥, 2个, Ic 800 A, VCEO 1200 V, 11引脚, PIM11, 通孔安装
- RS 库存编号:
- 277-059
- 制造商零件编号:
- NXH800H120L7QDSG
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 + | RMB1,790.25 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 277-059
- 制造商零件编号:
- NXH800H120L7QDSG
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | IGBT 电源模块 | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 800A | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 1200V | |
| 晶体管数 | 2 | |
| 配置 | 半桥 | |
| 包装类型 | PIM11 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 槽架类型 | N型, P型 | |
| 引脚数目 | 11 | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 2.05V | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | 20 V | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 20.8mm | |
| 宽度 | 62.15 mm | |
| 长度 | 152mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 IGBT 电源模块 | ||
最大连续集电极电流 Ic 800A | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 1200V | ||
晶体管数 2 | ||
配置 半桥 | ||
包装类型 PIM11 | ||
安装类型 通孔 | ||
槽架类型 N型, P型 | ||
引脚数目 11 | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 2.05V | ||
最大栅极发射极电压 VGEO 20 V | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 20.8mm | ||
宽度 62.15 mm | ||
长度 152mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
安森美半导体半桥 IGBT 电源模块集成了场截止沟道 7 IGBT 和第 7 代二极管，提供更低的传导和开关损耗。这种设计实现了高效率和卓越的可靠性。该模块配置为 1200V、800A 的二合一半桥，非常适合需要强劲性能和最佳电源转换效率的应用。
NTC 热敏电阻
隔离底板
可焊接引脚
低电感布局
无铅