onsemi N型沟道, FGY4L100T120SWD IGBT, 共发射极, 1个, Ic 200 A, VCEO 1200 V, 4引脚, TO-247-4L, 通孔安装

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制造商零件编号:
FGY4L100T120SWD
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

最大连续集电极电流 Ic

200A

产品类型

IGBT

最大集电极-发射极电压 Vceo

1200V

最大功耗 Pd

1.07kW

晶体管数

1

配置

共发射极

包装类型

TO-247-4L

安装类型

通孔

槽架类型

N型

引脚数目

4

最大栅极发射极电压 VGEO

20 V

最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT

2V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

高度

22.54mm

标准/认证

RoHS

宽度

5 mm

长度

15.8mm

汽车标准

COO (Country of Origin):
CN
安森美半导体采用 TO247 4 引线封装的 IGBT 和 Gen7 二极管具有低开关和传导损耗的最佳性能,可实现高能效运行。这些元件专为太阳能逆变器、不间断电源 (UPS) 和储能系统 (ESS) 等各种应用而设计,可在这些要求苛刻的环境中提供可靠、高效的电源管理。

高电流能力

流畅、优化的切换

开关损耗低

符合 RoHS 标准