制造商编号

onsemi N沟道IGBT, 4针, 1个晶体管, Ic 200 A, VCEO 1200 V, TO-247-4L

RS 库存编号:: 277-076
制造商零件编号:: FGY4L100T120SWD
制造商:: onsemi

onsemi N沟道IGBT, 4针, 1个晶体管, Ic 200 A, VCEO 1200 V, TO-247-4L

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RS 库存编号:: 277-076
制造商零件编号:: FGY4L100T120SWD
制造商:: onsemi

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	onsemi
	最大连续集电极电流 Ic	200A
	产品类型	IGBT
	最大集电极-发射极电压 Vceo	1200V
	晶体管数	1
	最大功耗 Pd	1.07kW
	包装类型	TO-247-4L
	配置	共发射极
	安装类型	通孔
	槽架类型	N
	引脚数目	4
	最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT	2V
	最低工作温度	-55°C
	最大栅极发射极电压 VGEO	20 V
	最高工作温度	175°C
	长度	15.8mm
	高度	22.54mm
	宽度	5mm
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 onsemi
	最大连续集电极电流 Ic 200A
	产品类型 IGBT
	最大集电极-发射极电压 Vceo 1200V
	晶体管数 1
	最大功耗 Pd 1.07kW
	包装类型 TO-247-4L
	配置共发射极
	安装类型通孔
	槽架类型 N
	引脚数目 4
	最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 2V
	最低工作温度 -55°C
	最大栅极发射极电压 VGEO 20 V
	最高工作温度 175°C
	长度 15.8mm
	高度 22.54mm
	宽度 5mm
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

Datasheet - FGY4L100T120SWD

COO (Country of Origin):: CN

安森美半导体采用 TO247 4 引线封装的 IGBT 和 Gen7 二极管具有低开关和传导损耗的最佳性能，可实现高能效运行。这些元件专为太阳能逆变器、不间断电源 (UPS) 和储能系统 (ESS) 等各种应用而设计，可在这些要求苛刻的环境中提供可靠、高效的电源管理。

高电流能力

流畅、优化的切换

开关损耗低

符合 RoHS 标准

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