onsemi N沟道IGBT, Ic 100 A, VCEO 1200V, 4针, TO-247-4L, 通孔安装

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包装方式:
RS 库存编号:
277-076P
制造商零件编号:
FGY4L100T120SWD
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

最大连续集电极电流

100 A

最大集电极-发射极电压

1200V

最大栅极发射极电压

±20V

最大功率耗散

1.07 kW

晶体管数

1

配置

共发射极

封装类型

TO-247-4L

安装类型

通孔

通道类型

N

引脚数目

4

COO (Country of Origin):
CN
安森美半导体采用 TO247 4 引线封装的 IGBT 和 Gen7 二极管具有低开关和传导损耗的最佳性能,可实现高能效运行。这些元件专为太阳能逆变器、不间断电源 (UPS) 和储能系统 (ESS) 等各种应用而设计,可在这些要求苛刻的环境中提供可靠、高效的电源管理。

高电流能力
流畅、优化的切换
开关损耗低
符合 RoHS 标准