onsemi N沟道IGBT, Ic 75 A, VCEO 1200V, 4针, TO-247-4L, 通孔安装
- RS 库存编号:
- 277-080
- 制造商零件编号:
- FGY4L75T120SWD
- 制造商:
- onsemi
可享批量折扣
小计（1 件）*
¥78.32
(不含税)
¥88.50
(含税)
有库存
- 另外 30 件在 2025年12月08日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 9 | RMB78.32 |
| 10 - 99 | RMB70.53 |
| 100 - 499 | RMB64.99 |
| 500 - 999 | RMB60.32 |
| 1000 + | RMB53.99 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 277-080
- 制造商零件编号:
- FGY4L75T120SWD
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 最大连续集电极电流 | 75 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 1200V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 晶体管数 | 1 | |
| 最大功率耗散 | 652 W | |
| 封装类型 | TO-247-4L | |
| 配置 | 共发射极 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 通道类型 | N | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
最大连续集电极电流 75 A | ||
最大集电极-发射极电压 1200V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
晶体管数 1 | ||
最大功率耗散 652 W | ||
封装类型 TO-247-4L | ||
配置 共发射极 | ||
安装类型 通孔 | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 4 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
安森美半导体采用 TO247 4 引线封装的 IGBT 和 Gen7 二极管具有低开关和传导损耗的最佳性能，可实现高能效运行。这些元件专为太阳能逆变器、不间断电源 (UPS) 和储能系统 (ESS) 等各种应用而设计，可在这些要求苛刻的环境中提供可靠、高效的电源管理。
高电流能力
流畅、优化的切换
开关损耗低
符合 RoHS 标准
流畅、优化的切换
开关损耗低
符合 RoHS 标准