产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

通过选择一个或多个属性来查找类似产品。

选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	最大连续集电极电流	80A
	最大集电极-发射极电压	650 V
	最大栅极发射极电压	±20V
	晶体管数	1
	最大功率耗散	250 瓦
	封装类型	PG-TO247-4-STD-NT3.7
	配置	单集电极、单发射极、单栅极
	安装类型	通孔
	通道类型	N
	引脚数目	4

	选择全部
	品牌 Infineon
	最大连续集电极电流 80A
	最大集电极-发射极电压 650 V
	最大栅极发射极电压 ±20V
	晶体管数 1
	最大功率耗散 250 瓦
	封装类型 PG-TO247-4-STD-NT3.7
	配置单集电极、单发射极、单栅极
	安装类型通孔
	通道类型 N
	引脚数目 4

Datasheet - IKZA50N65EH7XKSA1

英飞凌 IGBT 采用 TRENCHSTOP IGBT7 技术，可确保在要求低饱和电压和快速开关能力的应用中实现卓越性能。它专为工业用途而设计，集电极发射极电压为 650 V，同时保持惊人的效率。该设备特别适用于苛刻的环境，如工业不间断电源、电动汽车充电和太阳能逆变器，为您的电源管理需求提供了一个整体解决方案。此外，其坚固的结构还能在宽温度范围内提高可靠性，是各种应用的首选。

开关损耗低，效率更高
平滑切换减少电磁干扰
防潮性能确保性能可靠
针对硬开关应用进行了优化
包括用于集成的 PSpice 模型
符合严格的工业标准

Infineon N沟道IGBT, Ic 80A, VCEO 650 V, 4针, PG-TO247-4-STD-NT3.7, 通孔安装