Infineon N沟道IGBT, 4个, Ic 225A, VCEO 1200V, AG-62MMHB, 通孔安装

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RS 库存编号:
284-664
制造商零件编号:
F3L225R12W3H3B11BPSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

最大连续集电极电流

225A

最大集电极-发射极电压

1200V

最大栅极发射极电压

±20V

最大功率耗散

20 毫瓦

晶体管数

4

封装类型

AG-62MMHB

配置

单集电极、单发射极、单栅极

安装类型

通孔

通道类型

N

英飞凌 EasyPACK 模块专为高性能电源应用而设计,为能源管理提供了极为高效的解决方案。它采用 TRENCHSTOP IGBT 技术,开关损耗低,运行速度高。该模块适用于各种应用,如储能系统、太阳能技术和三级配置。其坚固的结构和先进的功能使其成为工业用途的理想选择,在安全性和可靠性方面符合严格的国际标准。

功率密度更高,适用于紧凑型应用
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符合 IEC 标准,可用于苛刻的工业用途
用于热管理的集成式 NTC 传感器
性能稳定,热阻低
高速 IGBT,提高效率