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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	最大连续集电极电流	120A
	最大集电极-发射极电压	1200V
	最大栅极发射极电压	±20V
	最大功率耗散	1 kW
	晶体管数	1
	封装类型	PG-TO247-3-plus-N
	配置	单集电极、单发射极、单栅极
	安装类型	通孔
	通道类型	N
	引脚数目	3

	选择全部
	品牌 Infineon
	最大连续集电极电流 120A
	最大集电极-发射极电压 1200V
	最大栅极发射极电压 ±20V
	最大功率耗散 1 kW
	晶体管数 1
	封装类型 PG-TO247-3-plus-N
	配置单集电极、单发射极、单栅极
	安装类型通孔
	通道类型 N
	引脚数目 3

Datasheet - IGQ120N120S7XKSA1

英飞凌 IGBT 是专为高性能应用而设计的尖端功率半导体。凭借先进的沟槽技术，这款 IGBT 具有卓越的坚固性和可靠性。它能够承受长达 8 微秒的短路，专为工业电源和可再生能源系统等苛刻环境而设计。该器件的集电极发射极电压高达 1200 V，可支持 120 A 的连续集电极电流。通过低热阻实现了更高的热性能，使其成为追求设计效率和性能的工程师的最爱。

针对高散热进行了优化
可靠地处理短暂短路
宽 dv/dt 可控性，提高灵活性
符合工业标准，坚固耐用
提供低饱和电压，提高效率
提供各种应用模式

Infineon N沟道IGBT, Ic 120A, VCEO 1200V, 3针, PG-TO247-3-plus-N, 通孔安装