Infineon N型沟道, IKQ120N65EH7XKSA1 IGBT, VCEO 650 V, 3引脚, PG-TO-247-3-PLUS-N, 通孔安装
- RS 库存编号:
- 284-989
- 制造商零件编号:
- IKQ120N65EH7XKSA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 284-989
- 制造商零件编号:
- IKQ120N65EH7XKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | IGBT | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 650V | |
| 最大功耗 Pd | 498W | |
| 包装类型 | PG-TO-247-3-PLUS-N | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | ±20 V | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 1.65V | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 5.1mm | |
| 宽度 | 15.9 mm | |
| 长度 | 20.1mm | |
| 标准/认证 | IEC 60068, IEC 60749, IEC 60747 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 IGBT | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 650V | ||
最大功耗 Pd 498W | ||
包装类型 PG-TO-247-3-PLUS-N | ||
安装类型 通孔 | ||
槽架类型 N型 | ||
引脚数目 3 | ||
最大栅极发射极电压 VGEO ±20 V | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 1.65V | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 5.1mm | ||
宽度 15.9 mm | ||
长度 20.1mm | ||
标准/认证 IEC 60068, IEC 60749, IEC 60747 | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon IGBT采用先进的功率半导体技术，凭借高速能力和低饱和电压，彻底改变各种应用的效率。采用业界知名的650V TRENCHSTOP IGBT7技术设计，在硬开关拓扑结构中表现卓越，适用于工业UPS系统、电动汽车充电解决方案和组串式逆变器。 这款坚固的组件符合严格的工业标准，可确保在严苛环境中仍能保持可靠性和长效性。
采用沟槽技术，高效节能
最大程度减少开关损耗以提升性能
专为高湿度环境下的可靠性而设计
平滑开关特性，确保精确度
设计支持多种电力电子应用
符合JEDEC工业应用标准
通过热管理支持设备寿命
提供基于PSpice型号的仿真功能