产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

通过选择一个或多个属性来查找类似产品。

选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	最大连续集电极电流	160A
	最大集电极-发射极电压	650 V
	最大栅极发射极电压	±20V
	最大功率耗散	498 W
	晶体管数	1
	封装类型	PG-TO247-3-plus-N
	配置	单集电极、单发射极、单栅极
	安装类型	通孔
	通道类型	N
	引脚数目	3

	选择全部
	品牌 Infineon
	最大连续集电极电流 160A
	最大集电极-发射极电压 650 V
	最大栅极发射极电压 ±20V
	最大功率耗散 498 W
	晶体管数 1
	封装类型 PG-TO247-3-plus-N
	配置单集电极、单发射极、单栅极
	安装类型通孔
	通道类型 N
	引脚数目 3

Datasheet - IKQ120N65EH7XKSA1

英飞凌 IGBT 采用先进的功率半导体，具有高速性能和低饱和电压，为各种应用带来了革命性的效率提升。它采用知名的 650 V TRENCHSTOP IGBT7 技术设计，在硬开关拓扑结构中表现出色，是工业 UPS 系统、电动汽车充电解决方案和组串逆变器的理想之选。这种坚固耐用的组件符合严格的工业标准，可确保在苛刻环境下的可靠性和使用寿命。

利用沟槽技术提高效率
最大限度降低开关损耗，提高性能
专为高湿度环境下的可靠性而设计
平滑的开关特性确保精确性
专为多功能电力电子设备设计
通过 JEDEC 工业应用认证
通过热管理延长设备寿命
利用 PSpice 模型提供仿真功能

Infineon N沟道IGBT, Ic 160A, VCEO 650 V, 3针, PG-TO247-3-plus-N, 通孔安装